功能描述：MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8TDSON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：13A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：7nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：890pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.1W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：7 毫欧 @ 5A，10V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：PG-TDSON-8

封装/外壳：8-PowerTDFN

标准包装：5,000

BSZ100N03LS G

BSZ100N03LSG

BSZ100N03MS

BSZ100N03MS G

BSZ100N03MSG

BSZ100N06LS3

BSZ100N06LS3 G

BSZ100N06LS3G

BSZ105N04NS

BSZ105N04NS G